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部署5nm工艺!台积电耗巨资赴美建厂规划月产能2万片

中国仪表网 2020-12-31
先进的集成电路是微处理器或多核处理器的"核心(cores)",可以控制电脑到手机到数字微波炉的一切。存储器和ASIC是其他集成电路家族的例子,对于现代信息社会非常重要。虽然设计开发一个复杂集成电路的成本非常高,但是当分散到通常以百万计的产品上,每个IC的成本最小化。IC的性能很高,因为小尺寸带来短路径,使得低功率逻辑电路可以在快速开关速度应用。
 
  这些年来,IC 持续向更小的外型尺寸发展,使得每个芯片可以封装更多的电路。这样增加了每单位面积容量,可以降低成本和增加功能-见摩尔定律,集成电路中的晶体管数量,每两年增加一倍。总之,随着外形尺寸缩小,几乎所有的指标改善了-单位成本和开关功率消耗下降,速度提高。但是,集成纳米级别设备的IC不是没有问题,主要是泄漏电流(leakage current)。因此,对于最终用户的速度和功率消耗增加非常明显,制造商面临使用更好几何学的尖锐挑战。这个过程和在未来几年所期望的进步,在半导体国际技术路线图(ITRS)中有很好的描述。
 
  越来越多的电路以集成芯片的方式出现在设计师手里,使电子电路的开发趋向于小型化、高速化。越来越多的应用已经由复杂的模拟电路转化为简单的数字逻辑集成电路。
 
  据报道,台积电投资35亿美元(约合人民币230亿元)赴美建厂的计划于12月23日得到了有关部门的正式批准。此前在11日,台积电董事会内部通过了这一项目。
 
  台积电计划在美国亚利桑那州凤凰城建设一座300mm晶圆厂,2021年动工,2023年装机试产,2024年上半年规模投产,直接部署目前最新的5nm工艺,规划月产能2万片晶圆。
 
  今年5月,台积电宣布,在美国联邦政府、亚利桑那州政府的共同理解、承诺支持之下,有意于美国建设并运营一座先进晶圆厂,将直接创造1600个高科技就业岗位。
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