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国家重点研发计划“大尺寸氧化镓半导体材料与高性能器件研究”项目2024年中交流会召开

仪表网 2024-08-07
       7月19日,国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”重点专项“大尺寸氧化镓半导体材料与高性能器件研究”项目2024年度年中交流会在杭州光学精密机械研究所(以下简称“杭州光机所”)召开。国家自然科学基金委员会高技术中心原副主任卞曙光,张龙副所长,重点研发计划项目负责人齐红基研究员,中国科学院上海硅酸盐研究所科技产业处副处长吴永庆,以及相关领域专家、项目成员等20余人出席了会议。
 
  会上,张龙代表项目承担单位致欢迎辞,并指出近一年来该项目取得了一定进展,期待各位专家能给项目组提出更多宝贵的建议,开展更广泛的交流合作。
 
  齐红基研究员就项目中期总体进展情况进行汇报。他表示自项目立项以来,项目组建立共振掺杂机制模型,在氧化镓单晶制备及工程化、p-型氧化镓研究及氧化镓功率器件、氧化镓射频器件等方面取得一系列标志性成果,逐渐形成研究闭环。
 
  各子课题负责人分别汇报工作进展,与会专家从技术本身、未来应用场景以及项目团队之间的交流合作方面提出了建议。
 
  吴永庆作“关于标准引领,抢占科技制高点,发展新质生产力”的报告,他指出应积极推动科技创新和产业创新融合发展,不断提高科技成果转化和标准化水平,以标准化助力打造新质生产力发展引擎,以核心技术标准为抓手,占领科技制高点、掌握话语权。
 
  卞曙光总结发言,他肯定了项目总体进展及全链条工作部署。他强调,氧化镓材料及其未来技术发展趋势,已经得到国家及地方政府的广泛认可,项目团队要聚焦行业难点、痛点,解决材料生长技术“卡脖子”问题;要对标国际,培养进入国际标准的专业化人才,抢占战略制高点;要加强开放、合作、共享,建立知识产权共享的机制,并找准合适的应用场景,获取更大的发展。
 
  该项目由中国科学院上海光学精密机械研究所牵头,联合厦门大学、吉林大学、中国电子科技集团公司第五十五研究所、北京中材人工晶体研究院有限公司、复旦大学、电子科技大学、杭州光机所、杭州富加镓业科技有限公司多家单位协同攻关。项目面向发展氧化镓基日盲紫外探测及功率电子器件的迫切需求,以解决氧化镓单晶衬底和外延薄膜缺陷与掺杂机制,微观电子结构、薄膜物性和器件性能构效关系等关键科学问题为基础,突破6英寸单晶热场设计、高质量外延膜生长、器件核心结构设计等关键技术,研制出新一代高性能氧化镓基功率及探测器件。
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